Analysis of the degradation of amorphous silicon-based modules after 11 years of exposure by means of IEC60891:2021 procedure 3

M. Piliougine, P. Sánchez-Friera, G. Petrone, F.J. Sánchez-Pacheco, G. Spagnuolo, M. Sidrach-de-Cardona, Progress in photovoltaics: Research and Applications, 2022, doi:10.1002/pip.3567

Se ha analizado la degradación de dos módulos fotovoltaicos (FV) basados en silicio amorfo, en concreto, de silicio amorfo de unión simple (a-Si) y de tándem micromorfo (a-Si/-Si), después de 11 años de exposición en el sur de España. Se midieron al aire libre las curvas I-V para estudiar los cambios en los parámetros eléctricos en el transcurso de tres períodos diferentes: durante los días iniciales de exposición, durante el primer año y en el período de 10 años posterior. La traslación de las curvas a un conjunto idéntico de condiciones de funcionamiento, para poder realizar una comparación significativa, se realizó mediante los diferentes procedimientos de corrección descritos en la norma IEC60891:2021, incluido el procedimiento 3, que no requiere el conocimiento de los parámetros del módulo, cuyos valores normalmente no están disponibles. Las tasas anuales de degradación de energía durante todo el período de 11 años son 1,12 % para el módulo a-Si, siendo 3,02 % para el primer año, y 0,98 % para a-Si/μ-Si, siendo 2,29 % para el año inicial.